HS8K11TB數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 7A, 11A Rds On（Max）@ Id，Vgs 17.9mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 11.1nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 500pF @ 15V 功率-最大 2W 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-UDFN Exposed Pad 供應商設備包裝 HSML3030L10 |
