HUF75343G3數據表










制造商 ON Semiconductor 系列 UltraFET™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 55V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 75A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 9mOhm @ 75A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 205nC @ 20V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 3000pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 270W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-247-3 包裝/箱 TO-247-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 UltraFET™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 55V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 75A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 9mOhm @ 75A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 205nC @ 20V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 3000pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 270W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
制造商 ON Semiconductor 系列 UltraFET™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 55V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 75A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 9mOhm @ 75A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 205nC @ 20V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 3000pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 270W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
制造商 ON Semiconductor 系列 UltraFET™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 55V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 75A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 9mOhm @ 75A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 205nC @ 20V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 3000pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 270W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 I2PAK (TO-262) 包裝/箱 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
制造商 ON Semiconductor 系列 UltraFET™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 55V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 75A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 9mOhm @ 75A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 205nC @ 20V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 3000pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 270W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220-3 包裝/箱 TO-220-3 |