IDT71V124SA20YI8數據表








制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Asynchronous 內存大小 1Mb (128K x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字,頁 20ns 訪問時間 20ns 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 32-SOJ |
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