IPB048N06LGATMA1數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 OptiMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 60V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 100A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 4.4mOhm @ 100A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 270µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 225nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 7600pF @ 30V FET功能 - 功耗(最大值) 300W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
制造商 Infineon Technologies 系列 OptiMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 60V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 100A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 4.7mOhm @ 100A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 270µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 225nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 7600pF @ 30V FET功能 - 功耗(最大值) 300W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 PG-TO220-3-1 包裝/箱 TO-220-3 |