IPB100N06S3-04數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 OptiMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4.1mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 314nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 14230pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 214W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PG-TO263-3-2 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
制造商 Infineon Technologies 系列 OptiMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4.4mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 314nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 14230pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 214W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 PG-TO220-3-1 包裝/箱 TO-220-3 |
制造商 Infineon Technologies 系列 OptiMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4.4mOhm @ 80A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 314nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 14230pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 214W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 PG-TO262-3 包裝/箱 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
