IPD053N06N3GBTMA1數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 OptiMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 5.3mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 58µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 82nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 6600pF @ 30V FET功能 - 功耗（最大值） 115W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PG-TO252-3 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
