IPW50R280CEFKSA1數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 CoolMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs 280mOhm @ 4.2A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID 3.5V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 32.6nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 773pF @ 100V FET功能 Super Junction 功耗（最大值） 92W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 PG-TO247-3 包裝/箱 TO-247-3 |
制造商 Infineon Technologies 系列 CoolMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 13A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs 280mOhm @ 4.2A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID 3.5V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 32.6nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 773pF @ 100V FET功能 Super Junction 功耗（最大值） 92W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 PG-TO220-3-1 包裝/箱 TO-220-3 |
