IRF3706STRR數據表












制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 77A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.8V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 8.5mOhm @ 15A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 35nC @ 4.5V Vgs(最大) ±12V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2410pF @ 10V FET功能 - 功耗(最大值) 88W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D2PAK 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 77A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.8V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 8.5mOhm @ 15A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 35nC @ 4.5V Vgs(最大) ±12V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2410pF @ 10V FET功能 - 功耗(最大值) 88W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D2PAK 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 77A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.8V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 8.5mOhm @ 15A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 35nC @ 4.5V Vgs(最大) ±12V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2410pF @ 10V FET功能 - 功耗(最大值) 88W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-262 包裝/箱 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 77A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.8V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 8.5mOhm @ 15A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 35nC @ 4.5V Vgs(最大) ±12V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2410pF @ 10V FET功能 - 功耗(最大值) 88W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220AB 包裝/箱 TO-220-3 |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 77A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.8V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 8.5mOhm @ 15A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 35nC @ 4.5V Vgs(最大) ±12V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2410pF @ 10V FET功能 - 功耗(最大值) 88W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D2PAK 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |