IRF6613TR1數據表
|
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 23A (Ta), 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 3.4mOhm @ 23A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.25V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 63nC @ 4.5V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 5950pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 2.8W (Ta), 89W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DIRECTFET™ MT 包裝/箱 DirectFET™ Isometric MT |
