IRF7311TR數據表
|
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 6.6A Rds On（Max）@ Id，Vgs 29mOhm @ 6A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 27nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 900pF @ 15V 功率-最大 2W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝 8-SO |
