IRF7739L2TR1PBF數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 46A (Ta), 375A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1mOhm @ 160A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 330nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 11880pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 3.8W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DIRECTFET L8 包裝/箱 DirectFET™ Isometric L8 |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 46A (Ta), 375A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1mOhm @ 160A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 330nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 11880pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 3.8W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DIRECTFET L8 包裝/箱 DirectFET™ Isometric L8 |
