IRFZ48STRR數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 60V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 50A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 18mOhm @ 43A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 110nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2400pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 3.7W (Ta), 190W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D2PAK 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 60V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 50A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 18mOhm @ 43A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 110nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2400pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 3.7W (Ta), 190W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D2PAK 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 60V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 50A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 18mOhm @ 43A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 110nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2400pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 3.7W (Ta), 190W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-262-3 包裝/箱 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
制造商 Vishay Siliconix 系列 * FET類型 - 技術 - 漏極至源極電壓(Vdss) - 電流-25°C時的連續漏極(Id) - 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) - Rds On(Max)@ Id,Vgs - Vgs(th)(最大)@ ID - 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs - Vgs(最大) - 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds - FET功能 - 功耗(最大值) - 工作溫度 - 安裝類型 - 供應商設備包裝 - 包裝/箱 - |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 60V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 50A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 18mOhm @ 43A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 110nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2400pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 3.7W (Ta), 190W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D2PAK 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |