IRL3202STRR數據表
|
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 48A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 7V Rds On（Max）@ Id，Vgs 16mOhm @ 29A, 7V Vgs（th）（最大）@ ID 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 43nC @ 4.5V Vgs（最大） ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2000pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 69W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D2PAK 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 48A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 7V Rds On（Max）@ Id，Vgs 16mOhm @ 29A, 7V Vgs（th）（最大）@ ID 700mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 43nC @ 4.5V Vgs（最大） ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2000pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 69W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D2PAK 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
