IRL3402STRLPBF數據表
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 85A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 7V Rds On(Max)@ Id,Vgs 8mOhm @ 51A, 7V Vgs(th)(最大)@ ID 700mV @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 78nC @ 4.5V Vgs(最大) ±10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 3300pF @ 15V FET功能 - 功耗(最大值) 110W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D2PAK 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 85A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 7V Rds On(Max)@ Id,Vgs 8mOhm @ 51A, 7V Vgs(th)(最大)@ ID 700mV @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 78nC @ 4.5V Vgs(最大) ±10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 3300pF @ 15V FET功能 - 功耗(最大值) 110W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D2PAK 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 85A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 7V Rds On(Max)@ Id,Vgs 8mOhm @ 51A, 7V Vgs(th)(最大)@ ID 700mV @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 78nC @ 4.5V Vgs(最大) ±10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 3300pF @ 15V FET功能 - 功耗(最大值) 110W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D2PAK 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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