IRL60B216數據表
|
制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET®, StrongIRFET™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 195A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 258nC @ 4.5V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 15570pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 375W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220AB 包裝/箱 TO-220-3 |
