IRLBD59N04ETRLP數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 59A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 18mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 50nC @ 5V Vgs（最大） ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2190pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 130W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-263-5 包裝/箱 TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA |
