IRLD024數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 100mOhm @ 1.5A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 18nC @ 5V Vgs（最大） ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 870pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 1.3W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4V, 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 100mOhm @ 1.5A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 18nC @ 5V Vgs（最大） ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 870pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 1.3W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 包裝/箱 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
