IS41C16105C-50TI數據表
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制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 DRAM - FP 內存大小 16Mb (1M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 84ns 訪問時間 25ns 電壓-供電 4.5V ~ 5.5V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads 供應商設備包裝 50/44-TSOP II |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 DRAM - FP 內存大小 16Mb (1M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 84ns 訪問時間 25ns 電壓-供電 4.5V ~ 5.5V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads 供應商設備包裝 50/44-TSOP II |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 DRAM - FP 內存大小 16Mb (1M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 - 訪問時間 25ns 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 44-TSOP II |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 DRAM - FP 內存大小 16Mb (1M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 - 訪問時間 25ns 電壓-供電 4.5V ~ 5.5V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 54-TSOP II |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 DRAM - FP 內存大小 16Mb (1M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 - 訪問時間 25ns 電壓-供電 4.5V ~ 5.5V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 54-TSOP II |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 DRAM - FP 內存大小 16Mb (1M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 - 寫周期-字，頁 - 訪問時間 25ns 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 44-TSOP II |
