IS42S16160J-6TI數據表
|
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 256Mb (16M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 54-TSOP II |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 256Mb (32M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 143MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TFBGA 供應商設備包裝 54-TFBGA (8x8) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 256Mb (32M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 143MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 0°C ~ 70°C 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TFBGA 供應商設備包裝 54-TFBGA (8x8) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 256Mb (32M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 143MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 0°C ~ 70°C 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TFBGA 供應商設備包裝 54-TFBGA (8x8) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 256Mb (32M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 143MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TFBGA 供應商設備包裝 54-TFBGA (8x8) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 256Mb (16M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 54-TSOP II |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 256Mb (16M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 143MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 54-TSOP II |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 256Mb (16M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 143MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TFBGA 供應商設備包裝 54-TFBGA (8x8) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 256Mb (16M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 143MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 54-TSOP II |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 256Mb (16M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 143MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 54-TSOP II |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 256Mb (16M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 143MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TFBGA 供應商設備包裝 54-TFBGA (8x8) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 256Mb (16M x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 54-TFBGA 供應商設備包裝 54-TFBGA (8x8) |
