IS42S32400F-7BI數據表
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 128Mb (4M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 143MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-TFBGA 供應商設備包裝 90-TFBGA (8x13) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 128Mb (4M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 143MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 0°C ~ 70°C 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-TFBGA 供應商設備包裝 90-TFBGA (8x13) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 128Mb (4M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-TFBGA 供應商設備包裝 90-TFBGA (8x13) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 128Mb (4M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 0°C ~ 70°C 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-TFBGA 供應商設備包裝 90-TFBGA (8x13) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 128Mb (4M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 143MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 0°C ~ 70°C 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-TFBGA 供應商設備包裝 90-TFBGA (8x13) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 128Mb (4M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 143MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-TFBGA 供應商設備包裝 90-TFBGA (8x13) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 128Mb (4M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 0°C ~ 70°C 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-TFBGA 供應商設備包裝 90-TFBGA (8x13) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 128Mb (4M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 85°C 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-TFBGA 供應商設備包裝 90-TFBGA (8x13) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 128Mb (4M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-TFBGA 供應商設備包裝 90-TFBGA (8x13) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 128Mb (4M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-TFBGA 供應商設備包裝 90-TFBGA (8x13) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 128Mb (4M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 143MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 90-TFBGA 供應商設備包裝 90-TFBGA (8x13) |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM 內存大小 128Mb (4M x 32) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 166MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 5.4ns 電壓-供電 3V ~ 3.6V 工作溫度 -40°C ~ 105°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 供應商設備包裝 86-TSOP II |