IS49NLS96400A-25WBL數據表
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制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 DRAM 內存大小 576Mb (64M x 9) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 400MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 20ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 144-TBGA 供應商設備包裝 144-TWBGA (11x18.5) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 DRAM 內存大小 576Mb (32M x 18) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 400MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 20ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 144-TBGA 供應商設備包裝 144-TWBGA (11x18.5) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 DRAM 內存大小 576Mb (64M x 9) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 400MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 20ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 144-TBGA 供應商設備包裝 144-TWBGA (11x18.5) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 DRAM 內存大小 576Mb (64M x 9) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 300MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 20ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 144-TBGA 供應商設備包裝 144-TWBGA (11x18.5) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 DRAM 內存大小 576Mb (32M x 18) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 300MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 20ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 70°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 144-TBGA 供應商設備包裝 144-TWBGA (11x18.5) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 DRAM 內存大小 576Mb (64M x 9) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 300MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 20ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 144-TBGA 供應商設備包裝 144-TWBGA (11x18.5) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 DRAM 內存大小 576Mb (16M x 36) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 400MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 15ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 144-TBGA 供應商設備包裝 144-TWBGA (11x18.5) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 DRAM 內存大小 576Mb (32M x 18) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 400MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 20ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 144-TBGA 供應商設備包裝 144-TWBGA (11x18.5) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 DRAM 內存大小 576Mb (32M x 18) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 300MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 20ns 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 144-TBGA 供應商設備包裝 144-TWBGA (11x18.5) |
