IS61NLP25636B-200B3LI數據表
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制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, SDR 內存大小 9Mb (256K x 36) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 3.1ns 電壓-供電 3.135V ~ 3.465V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 165-TBGA 供應商設備包裝 165-TFBGA (13x15) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, SDR 內存大小 9Mb (512K x 18) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 3.1ns 電壓-供電 3.135V ~ 3.465V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 100-LQFP 供應商設備包裝 100-LQFP (14x20) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, SDR 內存大小 9Mb (256K x 36) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 3.1ns 電壓-供電 3.135V ~ 3.465V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 100-LQFP 供應商設備包裝 100-LQFP (14x20) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, SDR 內存大小 9Mb (512K x 18) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 3.1ns 電壓-供電 3.135V ~ 3.465V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 100-LQFP 供應商設備包裝 100-LQFP (14x20) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, SDR 內存大小 9Mb (256K x 36) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 3.1ns 電壓-供電 3.135V ~ 3.465V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 100-LQFP 供應商設備包裝 100-LQFP (14x20) |
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 SRAM 技術 SRAM - Synchronous, SDR 內存大小 9Mb (256K x 36) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字，頁 - 訪問時間 3.1ns 電壓-供電 3.135V ~ 3.465V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 165-TBGA 供應商設備包裝 165-TFBGA (13x15) |
