IXFT150N20T數據表
|
制造商 IXYS 系列 HiPerFET™, TrenchT2™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 15mOhm @ 75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 177nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 11700pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 890W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-268 包裝/箱 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
制造商 IXYS 系列 HiPerFET™, TrenchT2™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 15mOhm @ 75A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 4mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 177nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 11700pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 890W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-247AD (IXFH) 包裝/箱 TO-247-3 |
