IXTN600N04T2數據表
|
制造商 IXYS 系列 GigaMOS™, TrenchT2™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 600A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.05mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 590nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 40000pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 940W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 供應商設備包裝 SOT-227B 包裝/箱 SOT-227-4, miniBLOC |
