LSIC1MO120E0080數據表
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制造商 Littelfuse Inc. 系列 - FET類型 N-Channel 技術 SiCFET (Silicon Carbide) 漏極至源極電壓(Vdss) 1200V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 39A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 20V Rds On(Max)@ Id,Vgs 100mOhm @ 20A, 20V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 10mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 95nC @ 20V Vgs(最大) +22V, -6V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1825pF @ 800V FET功能 - 功耗(最大值) 179W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-247-3 包裝/箱 TO-247-3 |