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MB85RE4M2TFN-G-ASE1數據表

MB85RE4M2TFN-G-ASE1數據表
總頁數: 20
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Fujitsu Electronics
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MB85RE4M2TFN-G-ASE1

Fujitsu Electronics

MB85RE4M2TFN-G-ASE1

制造商

Fujitsu Electronics America, Inc.

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FRAM

技術

FRAM (Ferroelectric RAM)

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字，頁

150ns

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP