MBR60035CTR數據表



制造商 GeneSiC Semiconductor 系列 - 二極管配置 1 Pair Common Anode 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向(Vr)(最大值) 35V 電流-平均整流(Io)(每個二極管) 300A 電壓-正向(Vf)(最大值)@如果 750mV @ 300A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間(trr) - 當前-反向泄漏@ Vr 1mA @ 20V 工作溫度-結點 - 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Twin Tower 供應商設備包裝 Twin Tower |
制造商 GeneSiC Semiconductor 系列 - 二極管配置 1 Pair Common Cathode 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向(Vr)(最大值) 35V 電流-平均整流(Io)(每個二極管) 300A 電壓-正向(Vf)(最大值)@如果 750mV @ 300A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間(trr) - 當前-反向泄漏@ Vr 1mA @ 20V 工作溫度-結點 - 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Twin Tower 供應商設備包裝 Twin Tower |
制造商 GeneSiC Semiconductor 系列 - 二極管配置 1 Pair Common Anode 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向(Vr)(最大值) 30V 電流-平均整流(Io)(每個二極管) 300A 電壓-正向(Vf)(最大值)@如果 750mV @ 300A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間(trr) - 當前-反向泄漏@ Vr 1mA @ 20V 工作溫度-結點 - 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Twin Tower 供應商設備包裝 Twin Tower |
制造商 GeneSiC Semiconductor 系列 - 二極管配置 1 Pair Common Cathode 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向(Vr)(最大值) 30V 電流-平均整流(Io)(每個二極管) 300A 電壓-正向(Vf)(最大值)@如果 750mV @ 300A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間(trr) - 當前-反向泄漏@ Vr 1mA @ 20V 工作溫度-結點 - 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Twin Tower 供應商設備包裝 Twin Tower |
制造商 GeneSiC Semiconductor 系列 - 二極管配置 1 Pair Common Anode 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向(Vr)(最大值) 20V 電流-平均整流(Io)(每個二極管) 300A 電壓-正向(Vf)(最大值)@如果 750mV @ 300A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間(trr) - 當前-反向泄漏@ Vr 1mA @ 20V 工作溫度-結點 - 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Twin Tower 供應商設備包裝 Twin Tower |
制造商 GeneSiC Semiconductor 系列 - 二極管配置 1 Pair Common Cathode 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向(Vr)(最大值) 20V 電流-平均整流(Io)(每個二極管) 300A 電壓-正向(Vf)(最大值)@如果 750mV @ 300A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間(trr) - 當前-反向泄漏@ Vr 1mA @ 20V 工作溫度-結點 - 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Twin Tower 供應商設備包裝 Twin Tower |
制造商 GeneSiC Semiconductor 系列 - 二極管配置 1 Pair Common Cathode 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向(Vr)(最大值) 40V 電流-平均整流(Io)(每個二極管) 300A 電壓-正向(Vf)(最大值)@如果 750mV @ 300A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間(trr) - 當前-反向泄漏@ Vr 1mA @ 20V 工作溫度-結點 -55°C ~ 150°C 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Twin Tower 供應商設備包裝 Twin Tower |
制造商 GeneSiC Semiconductor 系列 - 二極管配置 1 Pair Common Anode 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向(Vr)(最大值) 40V 電流-平均整流(Io)(每個二極管) 300A 電壓-正向(Vf)(最大值)@如果 750mV @ 300A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間(trr) - 當前-反向泄漏@ Vr 1mA @ 20V 工作溫度-結點 -55°C ~ 150°C 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Twin Tower 供應商設備包裝 Twin Tower |