MMBT2132T3G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 700mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 400mV @ 70mA, 700mA 當前-集電極截止（最大值） 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 150 @ 100mA, 3V 功率-最大 342mW 頻率-過渡 - 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-74, SOT-457 供應商設備包裝 SC-74 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 700mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 400mV @ 70mA, 700mA 當前-集電極截止（最大值） 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 150 @ 100mA, 3V 功率-最大 342mW 頻率-過渡 - 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-74, SOT-457 供應商設備包裝 SC-74 |
