MPSW51G數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 1A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 30V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 700mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 60 @ 100mA, 1V 功率-最大 1W 頻率-過渡 50MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝 TO-92 (TO-226) |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 1A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 40V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 700mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 60 @ 100mA, 1V 功率-最大 1W 頻率-過渡 50MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92 (TO-226) |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 1A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 40V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 700mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 60 @ 100mA, 1V 功率-最大 1W 頻率-過渡 50MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92 (TO-226) |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 1A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 40V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 700mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 60 @ 100mA, 1V 功率-最大 1W 頻率-過渡 50MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92 (TO-226) |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 1A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 40V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 700mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 60 @ 100mA, 1V 功率-最大 1W 頻率-過渡 50MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92 (TO-226) |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 1A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 40V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 700mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 60 @ 100mA, 1V 功率-最大 1W 頻率-過渡 50MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝 TO-92 (TO-226) |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 1A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 40V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 700mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 60 @ 100mA, 1V 功率-最大 1W 頻率-過渡 50MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝 TO-92 (TO-226) |