MRFE6VP61K25HSR6數據表
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NXP
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制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 LDMOS (Dual) 頻率 230MHz 增益 24dB 電壓-測試 50V 額定電流（安培） - 噪聲系數 - 當前-測試 100mA 功率-輸出 1250W 電壓-額定 133V 包裝/箱 NI-1230S 供應商設備包裝 NI-1230S |
制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 LDMOS 頻率 230MHz 增益 24dB 電壓-測試 50V 額定電流（安培） - 噪聲系數 - 當前-測試 100mA 功率-輸出 1250W 電壓-額定 133V 包裝/箱 NI-1230S-4 GW 供應商設備包裝 NI-1230S-4 GULL |
制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 LDMOS (Dual) 頻率 230MHz 增益 24dB 電壓-測試 50V 額定電流（安培） - 噪聲系數 - 當前-測試 100mA 功率-輸出 1250W 電壓-額定 133V 包裝/箱 NI-1230 供應商設備包裝 NI-1230 |
制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 LDMOS (Dual) 頻率 230MHz 增益 24dB 電壓-測試 50V 額定電流（安培） - 噪聲系數 - 當前-測試 100mA 功率-輸出 1250W 電壓-額定 133V 包裝/箱 NI-1230-4S 供應商設備包裝 NI-1230-4S |
制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 LDMOS (Dual) 頻率 230MHz 增益 24dB 電壓-測試 50V 額定電流（安培） - 噪聲系數 - 當前-測試 100mA 功率-輸出 1250W 電壓-額定 133V 包裝/箱 NI-1230 供應商設備包裝 NI-1230 |
