MSC025SMA120J數據表
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制造商 Microsemi Corporation 系列 - FET類型 N-Channel 技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss） 1.2kV 電流-25°C時的連續漏極（Id） 77A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs 31mOhm @ 40A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 232nC @ 20V Vgs（最大） +25V, -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3020pF @ 1000V FET功能 - 功耗（最大值） 278W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 供應商設備包裝 SOT-227 (ISOTOP®) 包裝/箱 SOT-227-4, miniBLOC |
制造商 Microsemi Corporation 系列 - FET類型 N-Channel 技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss） 1.2kV 電流-25°C時的連續漏極（Id） 100A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D3Pak 包裝/箱 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
制造商 Microsemi Corporation 系列 - FET類型 N-Channel 技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss） 1.2kV 電流-25°C時的連續漏極（Id） 103A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs 31mOhm @ 40A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 232nC @ 20V Vgs（最大） +25V, -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3020pF @ 1000V FET功能 - 功耗（最大值） 500W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-247-3 包裝/箱 TO-247-3 |
制造商 Microsemi Corporation 系列 - FET類型 N-Channel 技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss） 1.2kV 電流-25°C時的連續漏極（Id） 53A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs 50mOhm @ 40A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 137nC @ 20V Vgs（最大） +25V, -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1990pF @ 1000V FET功能 - 功耗（最大值） 208W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 供應商設備包裝 SOT-227 (ISOTOP®) 包裝/箱 SOT-227-4, miniBLOC |
制造商 Microsemi Corporation 系列 - FET類型 N-Channel 技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss） 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 166A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D3Pak 包裝/箱 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
制造商 Microsemi Corporation 系列 - FET類型 N-Channel 技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss） 1.2kV 電流-25°C時的連續漏極（Id） 35A 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 供應商設備包裝 SOT-227 (ISOTOP®) 包裝/箱 SOT-227-4, miniBLOC |
制造商 Microsemi Corporation 系列 - FET類型 N-Channel 技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss） 1.2kV 電流-25°C時的連續漏極（Id） - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D3Pak 包裝/箱 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
制造商 Microsemi Corporation 系列 - FET類型 N-Channel 技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss） 1.2kV 電流-25°C時的連續漏極（Id） 9.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs 350mOhm @ 5A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID 2.8V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 20nC @ 20V Vgs（最大） +25V, -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 300pF @ 1000V FET功能 - 功耗（最大值） 55W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-247-3 包裝/箱 TO-247-3 |
制造商 Microsemi Corporation 系列 - FET類型 N-Channel 技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss） 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 131A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs 19mOhm @ 40A, 20V Vgs（th）（最大）@ ID 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 215nC @ 20V Vgs（最大） +25V, -10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 4500pF @ 700V FET功能 - 功耗（最大值） 400W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-247-3 包裝/箱 TO-247-3 |
制造商 Microsemi Corporation 系列 - FET類型 N-Channel 技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss） 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id） - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D3Pak 包裝/箱 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
制造商 Microsemi Corporation 系列 - FET類型 N-Channel 技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss） 700V 電流-25°C時的連續漏極（Id） - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） - Rds On（Max）@ Id，Vgs - Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds - FET功能 - 功耗（最大值） - 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-247-3 包裝/箱 TO-247-3 |
