MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT數據表
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH, RAM 技術 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 內存大小 8Gb (512M x 16)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 137-TFBGA 供應商設備包裝 137-TFBGA (10.5x13) |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH, RAM 技術 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 內存大小 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 - 包裝/箱 - 供應商設備包裝 - |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH, RAM 技術 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 內存大小 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 137-TFBGA 供應商設備包裝 137-TFBGA (10.5x13) |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH, RAM 技術 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 內存大小 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 - 包裝/箱 - 供應商設備包裝 - |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH, RAM 技術 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 內存大小 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 137-TFBGA 供應商設備包裝 137-TFBGA (10.5x13) |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH, RAM 技術 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 內存大小 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (256M x 16)(LPDRAM) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 - 供應商設備包裝 - |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH, RAM 技術 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 內存大小 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 137-TFBGA 供應商設備包裝 137-TFBGA (10.5x13) |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH, RAM 技術 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 內存大小 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 153-VFBGA 供應商設備包裝 153-VFBGA |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH, RAM 技術 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 內存大小 4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 107-TFBGA 供應商設備包裝 107-TFBGA |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH, RAM 技術 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 內存大小 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 137-TFBGA 供應商設備包裝 137-TFBGA (10.5x13) |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH, RAM 技術 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 內存大小 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDRAM) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 107-TFBGA 供應商設備包裝 107-TFBGA |
Micron Technology Inc. 制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Non-Volatile 內存格式 FLASH, RAM 技術 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 內存大小 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 200MHz 寫周期-字,頁 - 訪問時間 - 電壓-供電 1.7V ~ 1.95V 工作溫度 -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 153-VFBGA 供應商設備包裝 153-VFBGA |