MT40A2G8VA-062E:B數據表
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制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR4 內存大小 16Gb (4G x 4) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 1.6GHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 19ns 電壓-供電 1.14V ~ 1.26V 工作溫度 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 78-TFBGA 供應商設備包裝 78-FBGA (10x11) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR4 內存大小 16Gb (2G x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 1.6GHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 19ns 電壓-供電 1.14V ~ 1.26V 工作溫度 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 96-TFBGA 供應商設備包裝 96-FBGA (10x13) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR4 內存大小 16Gb (1G x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 1.6GHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 19ns 電壓-供電 1.14V ~ 1.26V 工作溫度 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 78-TFBGA 供應商設備包裝 78-FBGA (10x11) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR4 內存大小 16Gb (1G x 16) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 1.6GHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 19ns 電壓-供電 1.14V ~ 1.26V 工作溫度 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 78-TFBGA 供應商設備包裝 78-FBGA (10x11) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR4 內存大小 16Gb (4G x 4) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 1.6GHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 19ns 電壓-供電 1.14V ~ 1.26V 工作溫度 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 78-TFBGA 供應商設備包裝 78-FBGA (10x11) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR4 內存大小 16Gb (2G x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 1.6GHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 19ns 電壓-供電 1.14V ~ 1.26V 工作溫度 0°C ~ 95°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 96-TFBGA 供應商設備包裝 96-FBGA (10x13) |
