MT47H1G4WTR-25E:C數據表
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制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR2 內存大小 4Gb (1G x 4) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 400MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 400ps 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 63-FBGA 供應商設備包裝 63-FBGA (9x11.5) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR2 內存大小 4Gb (512M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 400MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 400ps 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 63-TFBGA 供應商設備包裝 63-FBGA (9x11.5) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR2 內存大小 4Gb (1G x 4) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 400MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 400ps 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 63-FBGA 供應商設備包裝 63-FBGA (9x11.5) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR2 內存大小 4Gb (512M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 333MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 450ps 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 63-TFBGA 供應商設備包裝 63-FBGA (9x11.5) |
制造商 Micron Technology Inc. 系列 - 內存類型 Volatile 內存格式 DRAM 技術 SDRAM - DDR2 內存大小 4Gb (512M x 8) 內存接口 Parallel 時鐘頻率 400MHz 寫周期-字，頁 15ns 訪問時間 400ps 電壓-供電 1.7V ~ 1.9V 工作溫度 0°C ~ 85°C (TC) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 63-TFBGA 供應商設備包裝 63-FBGA (9x11.5) |
