MVB50P03HDLT4G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 Automotive, AEC-Q101 FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 25mOhm @ 25A, 5V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 100nC @ 5V Vgs（最大） ±15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 4.9nF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 125W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D2PAK-3 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
