NDH832P數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 4.2A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.7V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 60mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 30nC @ 4.5V Vgs(最大) -8V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1000pF @ 10V FET功能 - 功耗(最大值) 1.8W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SuperSOT™-8 包裝/箱 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) |