NGTB25N120SWG數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 Trench 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 1200V 當前-集電極(Ic)(最大值) 50A 電流-集電極脈沖(Icm) 100A Vce(on)(Max)@ Vge,Ic 2.4V @ 15V, 25A 功率-最大 385W 開關能量 1.95mJ (on), 600µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 178nC 25°C時的Td(開/關) 87ns/179ns 測試條件 600V, 25A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間(trr) 154ns 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-247-3 供應商設備包裝 TO-247-3 |