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NGTB30N65IHL2WG數據表

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ON Semiconductor
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NGTB30N65IHL2WG

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 30A

功率-最大

300W

開關能量

200µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

135nC

25°C時的Td(開/關)

-/145ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

430ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3