NP89N04NUK-S18-AY數據表
NP89N04NUK-S18-AY數據表
總頁數: 8
大小: 260.7 KB
Renesas Electronics America
此數據表涵蓋了2零件號:
NP89N04NUK-S18-AY, NP89N04MUK-S18-AY
|
制造商 Renesas Electronics America 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 3.3mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 102nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 5850pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 1.8W (Ta), 147W (Tc) 工作溫度 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-262 包裝/箱 TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
制造商 Renesas Electronics America 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 90A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 3.3mOhm @ 45A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 102nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 5850pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 1.8W (Ta), 147W (Tc) 工作溫度 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack |
