NSB13211DW6T1G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 4.7kOhms, 10kOhms 電阻-發射極基（R2） 4.7kOhms, 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 230mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
