NSBA114TF3T5G數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 10 kOhms 電阻-發射極基(R2) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 254mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-1123 供應商設備包裝 SOT-1123 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 10 kOhms 電阻-發射極基(R2) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 260mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-723 供應商設備包裝 SOT-723 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 10 kOhms 電阻-發射極基(R2) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 202mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-70, SOT-323 供應商設備包裝 SC-70-3 (SOT323) |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 10 kOhms 電阻-發射極基(R2) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 230mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SC-59 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 10 kOhms 電阻-發射極基(R2) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 202mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-70, SOT-323 供應商設備包裝 SC-70-3 (SOT323) |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 10 kOhms 電阻-發射極基(R2) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 200mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-75, SOT-416 供應商設備包裝 SC-75, SOT-416 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 10 kOhms 電阻-發射極基(R2) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA 頻率-過渡 - 功率-最大 400mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SOT-23-3 (TO-236) |