NSV40300MZ4T1G數據表






制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 3A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 40V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 400mV @ 300mA, 3A 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 175 @ 1A, 1V 功率-最大 2W 頻率-過渡 160MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝 SOT-223 (TO-261) |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 3A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 40V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 400mV @ 300mA, 3A 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 175 @ 1A, 1V 功率-最大 2W 頻率-過渡 160MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝 SOT-223 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 3A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 40V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 400mV @ 300mA, 3A 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 175 @ 1A, 1V 功率-最大 2W 頻率-過渡 160MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝 SOT-223 |