NSVBSP19AT1G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 350V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 500mV @ 4mA, 50mA 當前-集電極截止(最大值) 20nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 40 @ 20mA, 10V 功率-最大 800mW 頻率-過渡 70MHz 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝 SOT-223 (TO-261) |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 350V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 500mV @ 4mA, 50mA 當前-集電極截止(最大值) 20nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 40 @ 20mA, 10V 功率-最大 800mW 頻率-過渡 70MHz 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝 SOT-223 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 350V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 500mV @ 4mA, 50mA 當前-集電極截止(最大值) 20nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 40 @ 20mA, 10V 功率-最大 800mW 頻率-過渡 70MHz 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝 SOT-223 |