NTA4153NT1數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 915mA (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 230mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.1V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 1.82nC @ 4.5V Vgs(最大) ±6V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 110pF @ 16V FET功能 - 功耗(最大值) 300mW (Tj) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SC-75, SOT-416 包裝/箱 SC-75, SOT-416 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 915mA (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 230mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.1V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 1.82nC @ 4.5V Vgs(最大) ±6V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 110pF @ 16V FET功能 - 功耗(最大值) 300mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SC-75, SOT-416 包裝/箱 SC-75, SOT-416 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 915mA (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 230mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.1V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 1.82nC @ 4.5V Vgs(最大) ±6V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 110pF @ 16V FET功能 - 功耗(最大值) 300mW (Tj) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SC-75, SOT-416 包裝/箱 SC-75, SOT-416 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 915mA (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 230mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.1V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 1.82nC @ 4.5V Vgs(最大) ±6V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 110pF @ 16V FET功能 - 功耗(最大值) 300mW (Tj) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SC-89 包裝/箱 SC-89, SOT-490 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 915mA (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 230mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.1V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 1.82nC @ 4.5V Vgs(最大) ±6V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 110pF @ 16V FET功能 - 功耗(最大值) 300mW (Tj) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SC-89-3 包裝/箱 SC-89, SOT-490 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 915mA (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 230mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.1V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 1.82nC @ 4.5V Vgs(最大) ±6V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 110pF @ 16V FET功能 - 功耗(最大值) 300mW (Tj) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SC-75, SOT-416 包裝/箱 SC-75, SOT-416 |