NTD85N02RT4G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 24V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 12A (Ta), 85A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 17.7nC @ 5V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2050pF @ 20V FET功能 - 功耗(最大值) 1.25W (Ta), 78.1W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DPAK 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 24V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 12A (Ta), 85A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 17.7nC @ 5V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2050pF @ 20V FET功能 - 功耗(最大值) 1.25W (Ta), 78.1W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DPAK 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 24V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 12A (Ta), 85A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 17.7nC @ 5V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2050pF @ 20V FET功能 - 功耗(最大值) 1.25W (Ta), 78.1W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 I-PAK 包裝/箱 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 24V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 12A (Ta), 85A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 17.7nC @ 5V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2050pF @ 20V FET功能 - 功耗(最大值) 1.25W (Ta), 78.1W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DPAK 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 24V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 12A (Ta), 85A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 17.7nC @ 5V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2050pF @ 20V FET功能 - 功耗(最大值) 1.25W (Ta), 78.1W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 I-PAK 包裝/箱 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 24V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 12A (Ta), 85A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 17.7nC @ 5V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2050pF @ 20V FET功能 - 功耗(最大值) 1.25W (Ta), 78.1W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DPAK 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |