NTDV20P06LT4G數據表







制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 60V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 15.5A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 150mOhm @ 7.5A, 5V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 26nC @ 5V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1190pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 65W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DPAK 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 60V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 15.5A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 150mOhm @ 7.5A, 5V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 26nC @ 5V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1190pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 65W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DPAK 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 60V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 15.5A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 150mOhm @ 7.5A, 5V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 26nC @ 5V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1190pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 65W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 I-PAK 包裝/箱 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 60V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 15.5A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 150mOhm @ 7.5A, 5V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 26nC @ 5V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1190pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 65W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 I-PAK 包裝/箱 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 60V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 15.5A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 150mOhm @ 7.5A, 5V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 26nC @ 5V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1190pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 65W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 DPAK 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |