NTHD2102PT1G數據表






制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 8V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 3.4A Rds On(Max)@ Id,Vgs 58mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 16nC @ 2.5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 715pF @ 6.4V 功率-最大 1.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝 ChipFET™ |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 2 P-Channel (Dual) FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓(Vdss) 8V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 3.4A Rds On(Max)@ Id,Vgs 58mOhm @ 3.4A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 16nC @ 2.5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 715pF @ 6.4V 功率-最大 1.1W 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead 供應商設備包裝 ChipFET™ |