NTHD4N02FT1G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.9A (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 4nC @ 4.5V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 300pF @ 10V FET功能 Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值） 910mW (Tj) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 ChipFET™ 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 2.9A (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 80mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 4nC @ 4.5V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 300pF @ 10V FET功能 Schottky Diode (Isolated) 功耗（最大值） 910mW (Tj) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 ChipFET™ 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead |
