NTHS2101PT1G數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 5.4A (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 30nC @ 4.5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2400pF @ 6.4V FET功能 - 功耗（最大值） 1.3W (Ta) 工作溫度 - 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 ChipFET™ 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 5.4A (Tj) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 25mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 30nC @ 4.5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2400pF @ 6.4V FET功能 - 功耗（最大值） 1.3W (Ta) 工作溫度 - 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 ChipFET™ 包裝/箱 8-SMD, Flat Lead |
