NTLJS1102PTBG數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 36mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 720mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 25nC @ 4.5V Vgs（最大） ±6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1585pF @ 4V FET功能 - 功耗（最大值） 700mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 6-WDFN (2x2) 包裝/箱 6-WDFN Exposed Pad |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 36mOhm @ 6.2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 720mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 25nC @ 4.5V Vgs（最大） ±6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1585pF @ 4V FET功能 - 功耗（最大值） 700mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 6-WDFN (2x2) 包裝/箱 6-WDFN Exposed Pad |
